Компанія TSMC першою серед виробників напівпровідникової продукції освоїла випуск продукції за нормами 7 нм. І хоча формально це 7-нанометрова продукція, її характеристики знаходяться на тих же рівнях, які очікуються від 10-нанометрової продукції Intel. У компанії Samsung свідомо вважали за краще уповільнити роботу над техпроцесом, еквівалентним 7-нанометровому техпроцесу TSMC першого покоління, щоб зосередитися на впровадженні екстремальної ультрафіолетової літографії (EUV). Судячи з останніх даних, освоєння EUV в Samsung йде за планом.
Звіт дослідників Samsung, опублікований на симпозіумі з VLSI, свідчить, що 7-нанометрова технологія EUV готова до серійного виробництва, а з енергетичної ефективності продукції вона перевершує звичайну 7-нанометрову технологію. Зокрема, компанія представила графік, що дозволяє порівняти напругу пробою для трьох техпроцесів. Говорячи простою мовою, чим крутіше проходить пряма, тим вище енергетична ефективність. На ілюстрації видно, що 7-нанометрова технологія EUV, створена в Samsung, перевершує за цим показником своїх попередниць.
Крім того, південнокорейський виробник продемонстрував зразки SRAM і представив дані про стійкість мікросхем, виготовлених за 7-нанометрової технології EUV, до високих температур.
