В ході виставки MWC 2019 компанія Samsung Electronics повідомила, що вже відвантажила більше 36 000 базових станцій 5G і оголосила про завершення розробки нового покоління елементної бази для устаткування 5G mmWave — радіочастотних інтегральних мікросхем (RFIC, на верхньому знімку) і інтегральні мікросхеми цифро-аналогового інтерфейсу (DAFE, на нижньому знімку) з підтримкою діапазонів 28 ГГц і 39 ГГц.
Для досягнення надвисоких швидкостей передачі даних базові станції 5G, що працюють в спектрі mmWave, використовують під тисячу антенних елементів і кілька RFIC. Нові мікросхеми RFIC, представлені Samsung, виготовляються за 28-нанометровій технології CMOS, а їх смуга пропускання розширена з 800 МГц до 1,4 ГГц.
За словами Samsung, застосування зазначених мікросхем, які є ключовими компонентами чіпсету 5G, забезпечують зменшення розмірів, маси і енергоспоживання базових станцій 5G приблизно на 25% у порівнянні з попередньою ітерацією.
Пізніше цього року Samsung планує представити рішення для діапазонів 24 ГГц і 47 ГГц, що дозволить розширити охоплення ринків.
Очікується, що Samsung представить серію Galaxy S25 вже в січні. Імовірно, це станеться 22 січня…
У запеклій конкуренції з Google компанія OpenAI зняла обмеження на доступ до ChatGPT Search для…
The Wall Street Journal стверджує, що ця модель не буде дорожчою за iPhone 17 Pro…
Нове опитування фахівців з компанії SellCell показує, що більшість функцій Apple Intelligence не несуть ніякої…
Ілон Маск підтвердив, що його команда соціальної мережі X (Twitter) працює над створенням фірмового сервісу…
Компанія Apple готує до виходу Macbook монструозних розмірів. Про це пише MacRumors. Що відомо Згідно…