В ході виставки MWC 2019 компанія Samsung Electronics повідомила, що вже відвантажила більше 36 000 базових станцій 5G і оголосила про завершення розробки нового покоління елементної бази для устаткування 5G mmWave — радіочастотних інтегральних мікросхем (RFIC, на верхньому знімку) і інтегральні мікросхеми цифро-аналогового інтерфейсу (DAFE, на нижньому знімку) з підтримкою діапазонів 28 ГГц і 39 ГГц.
Для досягнення надвисоких швидкостей передачі даних базові станції 5G, що працюють в спектрі mmWave, використовують під тисячу антенних елементів і кілька RFIC. Нові мікросхеми RFIC, представлені Samsung, виготовляються за 28-нанометровій технології CMOS, а їх смуга пропускання розширена з 800 МГц до 1,4 ГГц.
За словами Samsung, застосування зазначених мікросхем, які є ключовими компонентами чіпсету 5G, забезпечують зменшення розмірів, маси і енергоспоживання базових станцій 5G приблизно на 25% у порівнянні з попередньою ітерацією.
Пізніше цього року Samsung планує представити рішення для діапазонів 24 ГГц і 47 ГГц, що дозволить розширити охоплення ринків.
Компанія 01.ai представила нову модель ШІ Yi-Lightning, схожу з GPT-4. Для навчання моделі використовувалося 2000…
Стартап OpenAI офіційно оголосив про вихід загальнодоступної версії застосунку ChatGPT для користувачів ПК під управлінням…
Надійний інсайдер під ніком OnLeaks опублікував серію деталізованих зображень ще не анонсованого смартфона. Крім того,…
Коли вийшла iOS 18, Apple додала дуже цікаву фішку. Тепер iPhone автоматично перезавантажується кожні три…
Щороку ми завантажуємо мільярди додатків на смартфони — щоб швидко спілкуватися, займатися банкінгом, редагувати фото…
В Android 15 QPR2 Beta 1 Google представила нову функцію - Terminal, що дозволяє запускати…