В ході виставки MWC 2019 компанія Samsung Electronics повідомила, що вже відвантажила більше 36 000 базових станцій 5G і оголосила про завершення розробки нового покоління елементної бази для устаткування 5G mmWave — радіочастотних інтегральних мікросхем (RFIC, на верхньому знімку) і інтегральні мікросхеми цифро-аналогового інтерфейсу (DAFE, на нижньому знімку) з підтримкою діапазонів 28 ГГц і 39 ГГц.
Для досягнення надвисоких швидкостей передачі даних базові станції 5G, що працюють в спектрі mmWave, використовують під тисячу антенних елементів і кілька RFIC. Нові мікросхеми RFIC, представлені Samsung, виготовляються за 28-нанометровій технології CMOS, а їх смуга пропускання розширена з 800 МГц до 1,4 ГГц.
За словами Samsung, застосування зазначених мікросхем, які є ключовими компонентами чіпсету 5G, забезпечують зменшення розмірів, маси і енергоспоживання базових станцій 5G приблизно на 25% у порівнянні з попередньою ітерацією.
ПРОДОВЖЕННЯ ПІСЛЯ РЕКЛАМИ
Пізніше цього року Samsung планує представити рішення для діапазонів 24 ГГц і 47 ГГц, що дозволить розширити охоплення ринків.
Схоже, Google працює над цікавою новою можливістю для користувачів Android – можливістю керування виведенням звуку…
Російська компанія «Герань» заявила про створення мобільної установки «Абзац», яка, за їхніми словами, здатна боротися з безпілотними літальними…
Багато власників смартфонів побоюються залишати гаджети на зарядці на всю ніч і правильно роблять. Пояснюємо,…
Нещодавній звіт фахівців з кібербезпеки з Citizen Lab виявив суттєвий недолік безпеки в кількох популярних…
Хакери почали розповсюджувати нове шкідливе програмне забезпечення для операційної системи Android під назвою Wpeeper. Цю…
Комунікація ближнього поля (далі NFC) - це технологія смартфонів і пристроїв, що носяться, яка живе…