В ході виставки MWC 2019 компанія Samsung Electronics повідомила, що вже відвантажила більше 36 000 базових станцій 5G і оголосила про завершення розробки нового покоління елементної бази для устаткування 5G mmWave — радіочастотних інтегральних мікросхем (RFIC, на верхньому знімку) і інтегральні мікросхеми цифро-аналогового інтерфейсу (DAFE, на нижньому знімку) з підтримкою діапазонів 28 ГГц і 39 ГГц.
Для досягнення надвисоких швидкостей передачі даних базові станції 5G, що працюють в спектрі mmWave, використовують під тисячу антенних елементів і кілька RFIC. Нові мікросхеми RFIC, представлені Samsung, виготовляються за 28-нанометровій технології CMOS, а їх смуга пропускання розширена з 800 МГц до 1,4 ГГц.
За словами Samsung, застосування зазначених мікросхем, які є ключовими компонентами чіпсету 5G, забезпечують зменшення розмірів, маси і енергоспоживання базових станцій 5G приблизно на 25% у порівнянні з попередньою ітерацією.
Пізніше цього року Samsung планує представити рішення для діапазонів 24 ГГц і 47 ГГц, що дозволить розширити охоплення ринків.
