Компанія Samsung повідомила про початок масового виробництва оперативної пам’яті LPDDR4X об’ємом 12 ГБ. Взагалі компанія виробляла модулі пам’яті аналогічного обсягу і до сьогоднішнього дня (вони, приміром, використовуються в топової версії Samsung Galaxy S10+), але зараз мова йде про 10-нанометрову пам’ять LPDDR4X, в той час як до цього випускалася пам’ять LPDDR4 по 20 нм техпроцесу.
Новий модуль DRAM складається з шести 16-гігабітних чіпів. Середня швидкість обміну даними становить 4266 МБ/с – і в цьому немає ніяких відмінностей від LPDDR4. Але за рахунок більш тонкого техпроцесу площа готового модуля набагато менше, що в якійсь мірі полегшує компоновку компонентів всередині корпусу смартфона.
Судячи з усього, 12-гігабайтна пам’ять DRAM PDDR4X з’явиться вже в наступних моделях Samsung флагманської серії Galaxy S. Імовірно, вона буде використовуватися в Galaxy S10 5G. Також цей смартфон може отримати і пам’ять eUFS 3.0 об’ємом 512 ГБ, масове виробництво якої почалося в лютому.
