Компанія Toshiba Memory Corporation оголосила про розробку мікросхеми моста, яка дозволяє збільшити швидкість і ємність твердотільних накопичувачів.
Такі мікросхеми, що займають невелику площу на друкованій платі і мають низьке енергоспоживання, дають можливість підключити до контролера більше мікросхем флеш-пам’яті, використовуючи менші високошвидкісних сигнальних ліній, ніж при звичайному підключенні.
У SSD до контролера підключено кілька мікросхем флеш-пам’яті. Збільшуючи об’єм SSD за рахунок числа мікросхем пам’яті, конструктори стикаються з проблемою-щоб не знижувалася швидкість, необхідно збільшувати і кількість високошвидкісних сигнальних ліній інтерфейсу, що ускладнює топологію плати.
Фахівці Toshiba Memory Corporation подолали цю проблему за допомогою мостової мікросхеми, яка з’єднує контролер і мікросхеми флеш-пам’яті закільцьованої ланцюжком. Друге нововведення полягає у використанні амплітудної модуляції імпульсів (PAM4), третє — в прийомах зменшення джиттера, що дозволили відмовитися від ланцюгів ФАПЧ. У результаті зменшуються накладні витрати, пов’язані з включенням мостів, з’являється можливість працювати з великою кількістю мікросхем флеш-пам’яті на високій швидкості по меншому числу високошвидкісних сигнальних ліній.
По 28-нанометровому техпроцесу були виготовлені прототипи. Тестування в конфігурації з одним контролером і чотирма мостами підтвердили очікування — була отримана швидкість 25,6 Гбіт/с при ймовірності помилки менше 10-12.
