Galaxy S9 и S9+ могут выйти в версиях с 512 ГБ встроенной памяти, передает phoneArenaсо ссылкой на заявление вице-президента Samsung Electronics Джису Хана. По его словам, южнокорейский производитель готов к выпуску первой партии флеш-чипов стандарта eUFS соответствующего объема для применения в будущих смартфонах.
«Новые чипы стандарта eUFS объемом 512 ГБ — это лучшее решение для премиальных смартфонов нового поколения, — говорит Джису Хан. — Они позволяют преодолеть ограничения, накладываемые картами MicroSD, и гарантируют сохранность записанных данных без ущерба для производительности».
Прежде чем приступить к производству комплектующих для смартфонов нового поколения, Samsung сделала почти невозможное, уместив восемь чипов общим объемом 512 ГБ в корпусе 256-гигабайтного накопителя. Скорость, которую такие чипы развивают при чтении и записи информации, может достигать 860 и 255 МБ/с соответственно.
Прежде Samsung старательно избегала флеш-чипов с объемом 256 ГБ. Флагманские смартфоны компании оснащались 64 или 128 ГБ встроенной памяти. Свое нежелание комплектовать фирменные решения большим объемом памяти в Samsung объясняли наличием слота MicroSD с поддержкой карт памяти объемом до 2 ТБ.
Apple готує перший складаний iPhone, який стане частиною глобального оновлення лінійки. За інформацією аналітиків, пристрій…
Глава аналітичної компанії Display Supply Chain Consultants (DSCC) Росс Янг поділився планами Apple щодо розширення…
Очікується, що Samsung представить серію Galaxy S25 вже в січні. Імовірно, це станеться 22 січня…
У запеклій конкуренції з Google компанія OpenAI зняла обмеження на доступ до ChatGPT Search для…
The Wall Street Journal стверджує, що ця модель не буде дорожчою за iPhone 17 Pro…
Нове опитування фахівців з компанії SellCell показує, що більшість функцій Apple Intelligence не несуть ніякої…