Galaxy S9 и S9+ могут выйти в версиях с 512 ГБ встроенной памяти, передает phoneArenaсо ссылкой на заявление вице-президента Samsung Electronics Джису Хана. По его словам, южнокорейский производитель готов к выпуску первой партии флеш-чипов стандарта eUFS соответствующего объема для применения в будущих смартфонах.
«Новые чипы стандарта eUFS объемом 512 ГБ — это лучшее решение для премиальных смартфонов нового поколения, — говорит Джису Хан. — Они позволяют преодолеть ограничения, накладываемые картами MicroSD, и гарантируют сохранность записанных данных без ущерба для производительности».
Прежде чем приступить к производству комплектующих для смартфонов нового поколения, Samsung сделала почти невозможное, уместив восемь чипов общим объемом 512 ГБ в корпусе 256-гигабайтного накопителя. Скорость, которую такие чипы развивают при чтении и записи информации, может достигать 860 и 255 МБ/с соответственно.
Прежде Samsung старательно избегала флеш-чипов с объемом 256 ГБ. Флагманские смартфоны компании оснащались 64 или 128 ГБ встроенной памяти. Свое нежелание комплектовать фирменные решения большим объемом памяти в Samsung объясняли наличием слота MicroSD с поддержкой карт памяти объемом до 2 ТБ.
Коли вийшла iOS 18, Apple додала дуже цікаву фішку. Тепер iPhone автоматично перезавантажується кожні три…
Щороку ми завантажуємо мільярди додатків на смартфони — щоб швидко спілкуватися, займатися банкінгом, редагувати фото…
В Android 15 QPR2 Beta 1 Google представила нову функцію - Terminal, що дозволяє запускати…
Apple Intelligence з'явився тільки минулого місяця, і деякі з його найцікавіших функцій будуть доступні з…
За останні кілька років все частіше виявляється, що месенджери використовуються як інструменти для злочинів. З…
Схоже, компанія Samsung не буде вкотре зрушувати терміни запуску своїх флагманських смартфонів ближче до початку…