5 грудня 2018 року, президент Xiaomi Лінь Бінь виклав в соціальну мережу Weibo зі свого офіційного аккаунта фотографію, на можна можна розглянути напис на одному з майбутніх телефонів бренду, згідно з якою тильна камера має сумарну роздільну здатність 48 Мп. Подібне в даний час можна зустріти лише в мобільних пристроях з потрійною основною камерою. Все це означає, що майбутня новинка зможе похвалитися саме такою особливістю, чим фанати гарантовано залишаться дуже задоволені.
Оскільки презентація Xiaomi Mi 9 запланована тільки на кінець першого кварталу, також як і Xiaomi Mi Mix 3S, то стає цілком собі очевидно, що подібну особливість отримає абсолютно інший мобільний пристрій. За даними китайських ЗМІ, першим телефоном бренду з потрійною фотокамерою стане флагман Xiaomi Mi 8S, а представляти із себе він буде поліпшену в усіх відношеннях версію моделі Mi 8 Pro, яку в даний час активно продають по всьому світу.
Новинка зможе похвалитися скляним корпусом, вбудованим в дисплей сканером відбитків пальців, потрійною основною камерою, а також підтримкою технології бездротової зарядки Qi потужністю до 12 Вт включно. Прямо під фотокамерою телефону і подвійним спалахом буде розташовуватися напис «48MP Camera». Купити Xiaomi Mi 8S покупці зможуть в декількох кольорах, одним з яких гарантовано стане чорний.
Поки що невідомо, який процесор стане основою для смартфона Xiaomi Mi 8S. Таким може виявитися Qualcomm Snapdragon 845, або ж новий Snapdragon 855.
WhatsApp має купу корисних функцій, про які не всі знають, і які можуть реально зробити…
Напередодні Різдва компанія Sony оголосила про тимчасове зниження ціни на PlayStation 5. З 24 грудня…
Компанія додала на смартфони Pixel нову функцію безпеки в рамках сервіс Play Protect. Вона захищає…
Три озлоблених власники AirPods Pro подали колективний позов проти Apple, звинувативши компанію в порушенні законів…
Останніми тижнями користувачі YouTube Premium почали помічати, що на платформі знову з'являються рекламні ролики, хоча…
В асортименті фірмових аксесуарів компанії Xiaomi з'явився новий блок живлення на базі GaN-компонентів. Пристрій із…