Samsung активно працює над наступником Galaxy S23 FE, який був представлений у жовтні минулого року. Очікується, що Galaxy S24 FE з’явиться приблизно в жовтні цього року. Смартфон вже з’являвся на Geekbench минулого місяця, а тепер нові дані свідчать про значне покращення його продуктивності.
Останні результати тестування Galaxy S24 FE з номером моделі “SM-S721B” демонструють вражаючі показники: 2185 балів у одноядерному тесті та 7030 балів у багатоядерному. Ці результати перевищують попередні показники та навіть перевершують продуктивність Exynos 2400, який використовувався в Galaxy S24 і S24+. Раніше Exynos 2400 у серії S24 показав середній одноядерний результат 2056 балів і багатоядерний — 6495 балів.
Це підвищення продуктивності не є новиною для серії Fan Edition. Наприклад, Exynos 2200 на минулому S23 FE перевершив оригінальний чіп у серії Galaxy S22. Хоча попередні тести не завжди точно відображають кінцеву продуктивність, здається, що Galaxy S24 FE з Exynos 2400 забезпечить таку ж продуктивність ЦП, як і модель на базі Snapdragon 8 Gen 3.
Це свідчить про те, що Samsung продовжує вдосконалювати свої чіпсети Exynos, щоб забезпечити конкурентоспроможність з аналогами Snapdragon. Для користувачів, які віддають перевагу пристроям Samsung з власними чіпсетами, підвищена продуктивність Exynos на Galaxy S24 FE може стати важливим фактором у виборі.
