Samsung, ймовірно, покладається на чип Snapdragon 8 Gen 4 для свого нового Galaxy S25. На думку ресурсу SamMobile, це має призвести до величезного стрибка продуктивності порівняно з попередником. Snapdragen 8 Gen 3 наразі працює, зокрема, в Samsung Galaxy S24 Ultra.
Згідно з більш ранніми витоками, Snapdragon 8 Gen 4 набрав у тестуванні утилітою Geekbench оцінку в 2800 балів в одноядерному режимі. Уже одне це – величезний стрибок порівняно з 2100 балами, досягнутими Snapdragen 8 Gen 3. Однак останні витоки припускають, що чип ще потужніший і також має обігнати в продуктивності iPhone 16 Pro.
Відповідно, в одноядерному режимі у Snapdragon 8 Gen 4 буде 3500 балів – на 200 балів вище показника Apple A18, який передбачається використовувати в iPhone 16 Pro. Уперше смартфон Samsung показав кращі результати в тестах, ніж телефон Apple.
Snapdragon 8 Gen 4 від Qualcomm стане першим процесором, виготовленим з використанням 3-нанометрового процесу. Чип, імовірно, буде представлений у жовтні. Він складатиметься з двох ядер продуктивності (P-ядра) і шести ядер ефективності (Е-ядра) з тактовою частотою 4,3 ГГц і 3,8 ГГц відповідно.
Звичайно, чисті результати тестів – це всього лише попередні дані. Управління температурним режимом також має вирішальне значення для продуктивності смартфона. Тепло, що виділяється чипом, в кінцевому підсумку необхідно розподіляти так, щоб він не перегрівався і не забезпечував меншу потужність.
