Xiaomi продовжує ділитися відомостями про своїх майбутніх флагманів серії 12S. Стало відомо, що ці пристрої будуть оснащені новітньою технологією пам’яті, що гарантує високу продуктивність навіть за кілька років використання гаджета. Крім того, у топовому 12S Ultra будуть встановлені відразу два чіпи власної розробки китайської компанії.
Згідно з новими тизерами, Xiaomi 12S Ultra оснастять співпроцесорами Surging G1 і Surging C1. Перший є чіп, що відповідає за керування харчуванням. Він побудований на базі технологій, що застосовуються в електромобілях, і здатний контролювати стан акумулятора в режимі реального часу, зокрема відстежуючи незначні зміни матеріалів всередині АКБ.
Компанія стверджує, що прогнозування терміну служби акумулятора дозволяє ефективно збільшити його живучість приблизно на 3-5%. Крім того, Xiaomi також заявляє про покращення часу автономної роботи пристрою за рахунок фірмової мікросхеми. У смартфоні також буде встановлений чіп Surge C1, який відповідає за оптимізацію процесу заряджання.
Крім того, у смартфонах серії Xiaomi 12S вперше буде застосовано технологію FBO, сертифіковану міжнародною асоціацією зі стандартизації напівпровідникової промисловості та входить до офіційної специфікації стандарту флеш-пам’яті наступного покоління UFS 4.0 .
За свідченням Xiaomi, ця технологія запобігає погіршенню продуктивності мобільних пристроїв після тривалого використання, зберігаючи швидкість читання та запису на вихідному стані. Для порівняння, у новому Xiaomi 12S Ultra цей показник становить 1900 МБ/с і зберігається на цьому рівні після 4 років симульованого використання.
Презентація нових смартфонів відбудеться у понеділок, 4 липня.
