На YouTube-каналі Mrwhosetheboss опублікували цікаве порівняння часу роботи без підзарядки новітнього iPhone 12 Pro Max, а також iPhone 11 Pro Max і популярних флагманських смартфонів, які працюють під управлінням операційної системи Android: Samsung Galaxy Note20 Ultra, Huawei Mate 40 Pro, Xiaomi Mi 10 Ultra і OnePlus 8 Pro.
Як показав розтин iPhone 12 Pro Max, незважаючи на збільшені габарити і діагональ дисплея в порівнянні торішнім iPhone 11 Pro Max, ємність акумулятора склала всього 3687 мА • год, тоді як у торішньому флагмані встановлений акумулятор на 3969 мА • год.
Звичайно ж, Apple заявила, що завдяки використання новітньої енергоефективної однокристальної системи Appol A14 Bionic, час роботи iPhone 12 Pro Max без підзарядки залишиться на тому ж рівні, що і у iPhone 11 Pro Max. Однак побоювання користувачів підтвердилися, коли справа дійшла до реальних випробувань.
На всіх смартфонах був виставлений однаковий рівень яскравості, після чого на них запускали різноманітні програми, ігри, бенчмарки і виконували інші завдання. Першим здався iPhone 12 Pro Max, який пропрацював 7 годину 16 хвилин до відключення. iPhone 11 Pro Max протримався 7 годині 42 хвилини.
Акумулятора Huawei Mate 40 Pro вистачило на 8 годину 22 хвилини, OnePlus 8 Pro відключився через 8 годин 27 хвилин. Ще на чотири хвилини довше протримався Xiaomi Mi10 Ultra. Samsung Galaxy Note 20 Ultra став переможцем з результатом 8 годині 41 хвилині.
WhatsApp має купу корисних функцій, про які не всі знають, і які можуть реально зробити…
Напередодні Різдва компанія Sony оголосила про тимчасове зниження ціни на PlayStation 5. З 24 грудня…
Компанія додала на смартфони Pixel нову функцію безпеки в рамках сервіс Play Protect. Вона захищає…
Три озлоблених власники AirPods Pro подали колективний позов проти Apple, звинувативши компанію в порушенні законів…
Останніми тижнями користувачі YouTube Premium почали помічати, що на платформі знову з'являються рекламні ролики, хоча…
В асортименті фірмових аксесуарів компанії Xiaomi з'явився новий блок живлення на базі GaN-компонентів. Пристрій із…