Samsung запустила тестове виробництво своєї нової пам’яті HBM4, з метою почати масове виробництво вже наприкінці 2025 року. Це на шість місяців раніше, ніж планувалося спочатку. Очікується, що пам’ять нового покоління забезпечить зростання швидкості передавання даних на 66% порівняно з попередньою версією HBM3E і збільшить об’єм сховища.
Компанія завершила проєктування логічних чипів для HBM4 і почала пробне виробництво на 4-нм техпроцесі. Ці роботи ведуться на спеціалізованому об’єкті D1c. Очікується, що нова пам’ять забезпечить швидкість передавання даних до 2 ТБ/с і підтримає інтерфейс 2048 біт із пропускною спроможністю 6,4 GT/s. Крім того, HBM4 матиме ємність до 48 ГБ, що на 33% більше, ніж у поточних рішень.
Пам’ять нового покоління використовуватимуть у майбутній GPU-платформі “Rubin” від Nvidia, яку випускатимуть у 2026 році.
Незважаючи на нові тарифи адміністрації Трампа, експерти одностайно відкидають можливість перенесення виробництва iPhone до США.…
Якщо ваш телефон раптово перестає заряджатися або показує неправильний рівень заряду (наприклад, залишається на 50%,…
Часто залишаєте свій смартфон на ліжку, дивані чи кріслі? Краще так більше не робити! Ця…
Apple має великі амбіції щодо майбутнього iPhone, проте цьогорічні моделі отримають лише скромні покращення порівняно…
Китайський інсайдер Digital Chat Station поділився новими деталями про майбутній флагманський процесор Qualcomm — Snapdragon…
Незважаючи на співпрацю з розробником ШІ-систем OpenAI та інвестиції в нього $13,75 млрд, компанія Microsoft…