Ціна DC100 залишається таємницею, і виробник обіцяє її розкрити після початку поставок влітку.
Рекорд найбільшого за обсягом твердотільного накопичувача для ПК протримався недовго. Усього за місять після випуску Samsung топового SSD на 30 ТБ його потіснив накопичувач від Nimbus Data. Пристрій ExaDrive DC100 пропонує користувачам рекордні 100 ТБ флеш-пам’яті.
Новий гаджет використовує тривимірну флеш-пам’ять, яка об’єднана в накопичувач стандарту 3,5 дюйми SATA. Запропонованого обсягу у 100 ТБ достатньо для 20 млн пісень по 5 МБ кожна. Але щоб записати їх, знадобиться досить багато часу – диск забезпечує швидкість на рівні 500 МБ/сек.
SSD рекордного обсягу призначений не для приватних користувачів, а для дата-центрів. Вони зможуть отримати 100 петабайтів в одній стійці накопичувачів, тоді як зараз для цього потрібно значно більше місця.
Ціна DC100 залишається таємницею, і виробник обіцяє її розкрити після початку поставок влітку. Попередньо відомо, що вона буде на рівні з іншими SSD бізнес-класу. Іншими словами – це десятки тисяч доларів за подібний накопичувач на 100 ТБ.
До речі, технології виробництва флеш-пам’яті натрапили на суттєву проблему, яку фахівці поки не знають, як вирішувати. Сьогодні всі головні розробники на ринку освоїли або підійшли до масового виробництва 64-шарових чіпів 3D NAND. На черзі випуск 96-шарових мікросхем. Однак виявилося, що подальше збільшення кількості шарів має непереборні перешкоди.
Генеральний директор компанії BeSang Inc Чи Сан-юн, яка займається розробкою чіпів 3D NAND, каже, що він дуже здивується, якщо хтось зможе налагодити випуск багатошарової 3D NAND обсягом 4 Тбіт. Наприклад, компанія Samsung наступного року пообіцяла почати виробництво чіпів на 1 Тбіт із застосуванням 3D NAND. Деталі мікросхем невідомі, але це можуть бути 96-шарові мікросхеми із записом 4 біт в кожну комірку (пам’ять типу QLC).
Для виробництва чіпа на 4 Тбіт без збільшення його площі потрібні 512 шарів. Якщо не з’явиться технологічного прориву, на обробку однієї пластини з 512-шаровою 3D NAND потрібно близько одного року (від 43 до 53 тижнів). У цьому ланцюжку на виготовлення керівної частини чіпа йде близько 5 тижнів і ще 8 разів по 5-6 тижнів на виготовлення 64 шарів. Тобто виробництво 512-шарових кристалів виявляється настільки довгим, що воно вже не буде економічно вигідним.
Якщо на обробку кожної пластини на 4 Тбіт знадобиться рік, на обробку пластини з 16 Тбіт чіпами піде близько чотирьох років, адже вони матимуть 2 048 шарів. Саме тому експерти вважають, що розвиток флеш-пам’яті може скоро зупинитися.
